Kaufen Diodes Incorporated DMN2004K-7 MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

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Datenblätter

DMN2004K-7

MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Artikelnummer

DMN2004K-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

630mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

150pF @ 16V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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