Kaufen Diodes Incorporated DMG8601UFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Artikelnummer

DMG8601UFG-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerUDFN

Leistung max

920mW

Gerätepaket des Lieferanten

U-DFN3030-8

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

143pF @ 10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 45001 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN