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CPMF-1200-S160B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE
Artikelnummer
CPMF-1200-S160B
Hersteller/Marke
Serie
Z-FET™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Die
Verlustleistung (max.)
202W (Tj)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47.1nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
928pF @ 800V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
20V
Vgs (Max)
+25V, -5V
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