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C2M1000170J

C2M1000170J

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Artikelnummer
C2M1000170J
Hersteller/Marke
Serie
C2M™
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-7 (Straight Leads)
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK (7-Lead)
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 500µA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
200pF @ 1000V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
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