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CDBGBSC101200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Artikelnummer
CDBGBSC101200-G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 5A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
100µA @ 1200V
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Cathode
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
18A (DC)
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 175°C
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