Kaufen Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7200_101 MOSFET N-CH DFN

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AON7200_101

MOSFET N-CH DFN

Artikelnummer

AON7200_101

Hersteller/Marke

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-VDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

8-DFN-EP (3x3)

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

15.8A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1300pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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