Kaufen Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

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AOI1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

Artikelnummer

AOI1N60

Hersteller/Marke

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gerätepaket des Lieferanten

TO-251A

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 650mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

160pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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