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ALD114913SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Artikelnummer

ALD114913SAL

Hersteller/Marke

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

500mW

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOIC

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain-Source-Spannung (Vdss)

10.6V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 2.7V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.26V @ 1µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2.5pF @ 5V

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