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ALD1101APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Artikelnummer
ALD1101APAL
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Leistung max
500mW
Gerätepaket des Lieferanten
8-PDIP
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
10.6V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 10µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10pF @ 5V
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