PJSEMI (flat crystal micro)
Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
PJM123NSA
PJM123NSA
Artikelnummer
PJM123NSA
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Hersteller/Marke
PJSEMI (flat crystal micro)
Kapselung
SOT-23
Verpackung
taping
Anzahl der Pakete
3000
Beschreibung
Drain-source voltage (Vdss): 100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.17A, gate-source threshold voltage: 1~3V@250uA, drain-source on-resistance: 3.8Ω@Vgs=0.17 A, 4.5V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.9W, type: N-channel
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 50825 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von PJM123NSA
PJM123NSA Elektronische Komponenten
PJM123NSA Verkäufe
PJM123NSA Anbieter
PJM123NSA Verteiler
PJM123NSA Datentabelle
PJM123NSA Fotos
PJM123NSA Preis
PJM123NSA Angebot
PJM123NSA Geringster Preis
PJM123NSA Suchen
PJM123NSA Einkauf
PJM123NSA Chip