onsemi (Ansemi)
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NSS40301MDR2G 2 NPN 40V 3A low saturation voltage transistors, dual NPN, 40 V, 6.0 A

NSS40301MDR2G

2 NPN 40V 3A low saturation voltage transistors, dual NPN, 40 V, 6.0 A
Artikelnummer
NSS40301MDR2G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Hersteller/Marke
onsemi (Ansemi)
Kapselung
SOIC-8
Verpackung
taping
Anzahl der Pakete
2500
Beschreibung
ON Semiconductor's e2 PowerEdge Series Low Saturation Voltage Bipolar Transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require cost-effective, efficient energy control. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras and MP3 players. Other applications are low voltage motor control in mass storage products such as disk drives and tape drives. In the automotive industry, they are used in airbag deployment and various instrument panels. The high current gain allows the e2PowerEdge device to be driven directly from the control output of a PMU, while the linear gain (Beta) makes it an ideal component for an analog amplifier.
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