onsemi (Ansemi)
Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Artikelnummer
NCD57090EDWR2G
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Hersteller/Marke
onsemi (Ansemi)
Kapselung
SOIC-8-5.9mm
Verpackung
taping
Anzahl der Pakete
1000
Beschreibung
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 64356 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Schlüsselwörter von NCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G Elektronische Komponenten
NCD57090EDWR2G Verkäufe
NCD57090EDWR2G Anbieter
NCD57090EDWR2G Verteiler
NCD57090EDWR2G Datentabelle
NCD57090EDWR2G Fotos
NCD57090EDWR2G Preis
NCD57090EDWR2G Angebot
NCD57090EDWR2G Geringster Preis
NCD57090EDWR2G Suchen
NCD57090EDWR2G Einkauf
NCD57090EDWR2G Chip