Kaufen AGM-Semi (core control source) AGM3015A N-channel 30V 136A 1.3mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM3015A

N-channel 30V 136A 1.3mΩ

Artikelnummer

AGM3015A

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Hersteller/Marke

AGM-Semi (core control source)

Kapselung

PDFN5x6

Verpackung

taping

Anzahl der Pakete

3000

Beschreibung

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 136A Power (Pd): 63W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.091nF@15V , Vds=30v Id=136A Rds=1.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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