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VQ1006P-E3
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Artikelnummer
VQ1006P-E3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
-
Leistung max
2W
Gerätepaket des Lieferanten
14-DIP
FET-Typ
4 N-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
90V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
60pF @ 25V
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