Kaufen Vishay Siliconix SUD42N03-3M9P-GE3 MOSFET N-CH 30V 42A TO252

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Datenblätter

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252

Artikelnummer

SUD42N03-3M9P-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 73.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3535pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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