Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
SQS460EN-T1_GE3

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A
Artikelnummer
SQS460EN-T1_GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® 1212-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
755pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 50500 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von SQS460EN-T1_GE3
SQS460EN-T1_GE3 Elektronische Komponenten
SQS460EN-T1_GE3 Verkäufe
SQS460EN-T1_GE3 Anbieter
SQS460EN-T1_GE3 Verteiler
SQS460EN-T1_GE3 Datentabelle
SQS460EN-T1_GE3 Fotos
SQS460EN-T1_GE3 Preis
SQS460EN-T1_GE3 Angebot
SQS460EN-T1_GE3 Geringster Preis
SQS460EN-T1_GE3 Suchen
SQS460EN-T1_GE3 Einkauf
SQS460EN-T1_GE3 Chip