Kaufen Vishay Siliconix SQS407ENW-T1_GE3 MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W

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Datenblätter

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W

Artikelnummer

SQS407ENW-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8W

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4572pF @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

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