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SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
Artikelnummer
SQJ488EP-T1_GE3
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SO-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
979pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
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