Kaufen Vishay Siliconix SQD50P04-13L_GE3 MOSFET P-CH 40V 50A

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Datenblätter

SQD50P04-13L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A

Artikelnummer

SQD50P04-13L_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 136W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3590pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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