Kaufen Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

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Datenblätter

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Artikelnummer

SIZ926DT-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Leistung max

20.2W, 40W

Gerätepaket des Lieferanten

8-PowerPair® (6x5)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

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