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SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Artikelnummer
SIZ926DT-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerWDFN
Leistung max
20.2W, 40W
Gerätepaket des Lieferanten
8-PowerPair® (6x5)
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
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