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SIZ910DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Artikelnummer

SIZ910DT-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Leistung max

48W, 100W

Gerätepaket des Lieferanten

8-PowerPair® (6x5)

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1500pF @ 15V

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