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SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Artikelnummer
SIZ730DT-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-PowerPair™
Leistung max
27W, 48W
Gerätepaket des Lieferanten
6-PowerPair™
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
830pF @ 15V
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