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SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Artikelnummer

SIE836DF-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

10-PolarPAK® (SH)

Gerätepaket des Lieferanten

10-PolarPAK® (SH)

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1200pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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