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SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Artikelnummer
SIE836DF-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
10-PolarPAK® (SH)
Gerätepaket des Lieferanten
10-PolarPAK® (SH)
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1200pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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