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SIE816DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Artikelnummer

SIE816DF-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

10-PolarPAK® (L)

Gerätepaket des Lieferanten

10-PolarPAK® (L)

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.4 mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3100pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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