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SIE806DF-T1-GE3

SIE806DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Artikelnummer
SIE806DF-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
10-PolarPAK® (L)
Gerätepaket des Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
13000pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
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