Kaufen Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60V

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Datenblätter

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Artikelnummer

SIDR626DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8DC

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

42.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5130pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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