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SIDR626DP-T1-GE3

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V
Artikelnummer
SIDR626DP-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SO-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SO-8DC
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5130pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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