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SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Artikelnummer

SIDR610DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8DC

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1380pF @ 100V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

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