Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Artikelnummer
SIA537EDJ-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Leistung max
7.8W
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V, 20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
455pF @ 6V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 31898 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von SIA537EDJ-T1-GE3
SIA537EDJ-T1-GE3 Elektronische Komponenten
SIA537EDJ-T1-GE3 Verkäufe
SIA537EDJ-T1-GE3 Anbieter
SIA537EDJ-T1-GE3 Verteiler
SIA537EDJ-T1-GE3 Datentabelle
SIA537EDJ-T1-GE3 Fotos
SIA537EDJ-T1-GE3 Preis
SIA537EDJ-T1-GE3 Angebot
SIA537EDJ-T1-GE3 Geringster Preis
SIA537EDJ-T1-GE3 Suchen
SIA537EDJ-T1-GE3 Einkauf
SIA537EDJ-T1-GE3 Chip