Kaufen Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

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Datenblätter

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Artikelnummer

SIA427DJ-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-70-6

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-70-6 Single

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2300pF @ 4V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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