Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Artikelnummer
SI9936BDY-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
1.1W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 11205 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von SI9936BDY-T1-GE3
SI9936BDY-T1-GE3 Elektronische Komponenten
SI9936BDY-T1-GE3 Verkäufe
SI9936BDY-T1-GE3 Anbieter
SI9936BDY-T1-GE3 Verteiler
SI9936BDY-T1-GE3 Datentabelle
SI9936BDY-T1-GE3 Fotos
SI9936BDY-T1-GE3 Preis
SI9936BDY-T1-GE3 Angebot
SI9936BDY-T1-GE3 Geringster Preis
SI9936BDY-T1-GE3 Suchen
SI9936BDY-T1-GE3 Einkauf
SI9936BDY-T1-GE3 Chip