Kaufen Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

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Datenblätter

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Artikelnummer

SI9926BDY-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.14W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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