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SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Artikelnummer

SI9424BDY-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±9V

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