Kaufen Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1 MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

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Datenblätter

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Artikelnummer

SI8808DB-T2-E1

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

4-UFBGA

Gerätepaket des Lieferanten

4-Microfoot

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

330pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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