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SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Artikelnummer
SI8808DB-T2-E1
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-UFBGA
Gerätepaket des Lieferanten
4-Microfoot
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
330pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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