Kaufen Vishay Siliconix SI7940DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

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Datenblätter

SI7940DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Artikelnummer

SI7940DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8 Dual

Leistung max

1.4W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8 Dual

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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