Kaufen Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SI7858BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Artikelnummer

SI7858BDP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 48W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5760pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 52548 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SI7802DN-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8