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SI7495DP-T1-GE3

SI7495DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
Artikelnummer
SI7495DP-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SO-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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