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SI7495DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Artikelnummer

SI7495DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

13A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 21A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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