Kaufen Vishay Siliconix SI7116DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SI7116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Artikelnummer

SI7116DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8 mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an chen_hx1688@hotmail.com, wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 20025 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8