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SI5908DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Artikelnummer

SI5908DC-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Leistung max

1.1W

Gerätepaket des Lieferanten

1206-8 ChipFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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