Kaufen Vishay Siliconix SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SI5519DU-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Artikelnummer

SI5519DU-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Leistung max

10.4W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® ChipFet Dual

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

660pF @ 10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 27406 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8