Kaufen Vishay Siliconix SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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Datenblätter

SI5511DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Artikelnummer

SI5511DC-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Leistung max

3.1W, 2.6W

Gerätepaket des Lieferanten

1206-8 ChipFET™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

435pF @ 15V

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