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Datenblätter

SI4953ADY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Artikelnummer

SI4953ADY-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.1W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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