Kaufen Vishay Siliconix SI4888DY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SI4888DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Artikelnummer

SI4888DY-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 19668 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC