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SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4836DY-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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