Kaufen Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

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Datenblätter

SI4532ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Artikelnummer

SI4532ADY-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.13W, 1.2W

Gerätepaket des Lieferanten

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.7A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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