Kaufen Vishay Siliconix SI4465ADY-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 8SOIC

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Datenblätter

SI4465ADY-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Artikelnummer

SI4465ADY-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 6.5W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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