Kaufen Vishay Siliconix SI4062DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SI4062DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Artikelnummer

SI4062DY-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

7.8W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

32.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3175pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 7025 PCS

Kontaktinformationen