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SI1563EDH-T1-GE3

SI1563EDH-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Artikelnummer
SI1563EDH-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung max
570mW
Gerätepaket des Lieferanten
SC-70-6 (SOT-363)
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
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