Kaufen Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

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Datenblätter

SI1065X-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Artikelnummer

SI1065X-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Gerätepaket des Lieferanten

SC-89-6

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

480pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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