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SI1065X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Artikelnummer
SI1065X-T1-E3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten
SC-89-6
Verlustleistung (max.)
236mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
480pF @ 6V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
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