Kaufen Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SI1050X-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Artikelnummer

SI1050X-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-563, SOT-666

Gerätepaket des Lieferanten

SC-89-6

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.34A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86 mOhm @ 1.34A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

585pF @ 4V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 38055 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN