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SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Artikelnummer
SI1050X-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten
SC-89-6
Verlustleistung (max.)
236mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
585pF @ 4V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±5V
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