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SI1026X-T1-E3

SI1026X-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Artikelnummer
SI1026X-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-563, SOT-666
Leistung max
250mW
Gerätepaket des Lieferanten
SC-89-6
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
30pF @ 25V
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